Opis
Parametry techniczne
Specyfikacje techniczne
|
Produkcja |
WĄTEK |
|
Model |
5SHY3545L0009 |
| Numer części | 3BHB013085R0001 |
|
Opis |
Moduł IGCT |
|
Pochodzenie |
szwajcarski |
|
Wymiar |
45*30*10 cm |
|
Waga |
3 kg |
Szczegóły produktu
Moduł elektrowni ABB 5SHY3545L0009 jest zintegrowaną bramą - modułu Thyristor (IGCT), urządzenie elektroniczne mocy napięcia High -.
Cechy:
Wysoka gęstość mocy: wykorzystuje zaawansowane układy IGCT, aby osiągnąć wysoką gęstość mocy i zmniejszyć rozmiar modułu.
Szybkie przełączanie: Nanosekundowe prędkości przełączania poprawiają reakcję dynamiczną systemu.
Wysoka niezawodność: rygorystyczne kontrola jakości i testowanie niezawodności Zapewniają stabilną działanie modułu w trudnych środowiskach.
Niskie - spadek napięcia stanu: zmniejsza utratę mocy i poprawia wydajność systemu.
Doskonała kompatybilność elektromagnetyczna: Zaawansowana technologia opakowań i projekt obwodu minimalizuje zakłócenia elektromagnetyczne.
Cechy:
Wysoka gęstość mocy: wykorzystuje zaawansowane układy IGCT, aby osiągnąć wysoką gęstość mocy i zmniejszyć rozmiar modułu.
Szybkie przełączanie: Nanosekundowe prędkości przełączania poprawiają reakcję dynamiczną systemu.
Wysoka niezawodność: rygorystyczne kontrola jakości i testowanie niezawodności Zapewniają stabilną działanie modułu w trudnych środowiskach.
Niskie - spadek napięcia stanu: zmniejsza utratę mocy i poprawia wydajność systemu.
Doskonała kompatybilność elektromagnetyczna: Zaawansowana technologia opakowań i projekt obwodu minimalizuje zakłócenia elektromagnetyczne.
Moduły IGCT od różnych marek różnią się wydajnością:
1. Infineon
Infineon jest liderem technologii półprzewodników mocy. Jego moduły IGCT prawdopodobnie wykorzystują technologię zaawansowanej bramki do bramki (Trench FS), oferując niskie straty przewodzenia i wysoki potencjał częstotliwości przełączania. Na przykład niektóre moduły IGBT Infineon wykazują niskie straty przełączania przy średnich lub wysokich częstotliwościach przełączania (np. Większe niż 10 kHz). Ich obszerne wykorzystanie zaawansowanych technologii połączeń, takich jak Podczas gdy konkretne dane dotyczące wydajności modułów IGCT Infineon są niedostępne, biorąc pod uwagę ich duże doświadczenie w półprzewodnikach mocy, ich wydajność będzie doskonała.
2. Mitsubishi
Mitsubishi specjalizuje się w technologii Tranzolarnego Tranzystor Brama Bramy Bramy Bramy (CSTBT ™), która optymalizuje równowagę między stratami przełączania a - spadkiem napięcia stanu (VCE (SAT)). Na przykład moduł IGBT Mitsubishi 1200V/137a zmniejsza napięcie nasycenia (VCE (sat)) do 1,02 V bez naruszenia napięcia wytrzymania poprzez dodanie „warstwy pamięci nośnej” między n -} i p -. Jego moduł IGCT prawdopodobnie dziedziczy podobną niską przewagę napięcia napięcia stanu, pomagając zmniejszyć straty przewodzenia podczas pracy prądu znamionowego i poprawić ogólną wydajność systemu.
3. Abb
Czy możesz wziąć udział w module ABB 5SHY4045L0006? To jest karta falownika IGCT High -. Wykorzystuje układ procesora prędkości wysokiej - zdolny do szybkiego przetwarzania dużych ilości danych i logiki sterowania, zapewniając prawdziwą stabilność systemu czasu -. Posiada również dużą pamięć pojemności -, obsługuje wiele protokołów komunikacyjnych i interfejsów oraz oferuje funkcje ochrony, takie jak nadprąd, przepięcie i podnośnik, co powoduje doskonałą wydajność.
1. Infineon
Infineon jest liderem technologii półprzewodników mocy. Jego moduły IGCT prawdopodobnie wykorzystują technologię zaawansowanej bramki do bramki (Trench FS), oferując niskie straty przewodzenia i wysoki potencjał częstotliwości przełączania. Na przykład niektóre moduły IGBT Infineon wykazują niskie straty przełączania przy średnich lub wysokich częstotliwościach przełączania (np. Większe niż 10 kHz). Ich obszerne wykorzystanie zaawansowanych technologii połączeń, takich jak Podczas gdy konkretne dane dotyczące wydajności modułów IGCT Infineon są niedostępne, biorąc pod uwagę ich duże doświadczenie w półprzewodnikach mocy, ich wydajność będzie doskonała.
2. Mitsubishi
Mitsubishi specjalizuje się w technologii Tranzolarnego Tranzystor Brama Bramy Bramy Bramy (CSTBT ™), która optymalizuje równowagę między stratami przełączania a - spadkiem napięcia stanu (VCE (SAT)). Na przykład moduł IGBT Mitsubishi 1200V/137a zmniejsza napięcie nasycenia (VCE (sat)) do 1,02 V bez naruszenia napięcia wytrzymania poprzez dodanie „warstwy pamięci nośnej” między n -} i p -. Jego moduł IGCT prawdopodobnie dziedziczy podobną niską przewagę napięcia napięcia stanu, pomagając zmniejszyć straty przewodzenia podczas pracy prądu znamionowego i poprawić ogólną wydajność systemu.
3. Abb
Czy możesz wziąć udział w module ABB 5SHY4045L0006? To jest karta falownika IGCT High -. Wykorzystuje układ procesora prędkości wysokiej - zdolny do szybkiego przetwarzania dużych ilości danych i logiki sterowania, zapewniając prawdziwą stabilność systemu czasu -. Posiada również dużą pamięć pojemności -, obsługuje wiele protokołów komunikacyjnych i interfejsów oraz oferuje funkcje ochrony, takie jak nadprąd, przepięcie i podnośnik, co powoduje doskonałą wydajność.